2SA1943
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1943
DESCRIPTION
- High Current Capability
- High Power Dissipation
- High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -230V(Min)
- Complement to Type 2SC5200
APPLICATIONS
- Power amplifier applications
- Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
|
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
|
VCBO |
Collector-Base Voltage |
-230 |
V |
|
VCEO |
Collector-Emitter Voltage |
-230 |
V |
|
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
-5 |
V |
|
IC |
Collector Current-Continuous |
-15 |
A |
|
IB |
Base Current-Continuous |
-1.5 |
A |
|
PC |
Collector Power Dissipation @ TC=25℃ |
150 |
W |
|
TJ |
Junction Temperature |
150 |
℃ |
|
Tstg |
Storage Temperature Range |
-55~150 |
℃ |
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1943
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
|
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN |
MAX |
UNIT |
|
|
V(BR)CEO |
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
IC= -50mA ; IB= 0 |
-230 |
V |
||
|
VCE(sat) |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -8.0A; IB= -0.8A |
-3.0 |
V |
||
|
VBE(on) |
Base-Emitter On Voltage |
IC= -7A ; VCE= -5V |
-1.5 |
V |
||
|
ICBO |
Collector Cutoff Current |
VCB= -230V ; IE= 0 |
-5 |
μA |
||
|
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= -5V; IC= 0 |
-5 |
μA |
||
|
hFE-1 |
DC Current Gain |
IC= -1A ; VCE= -5V |
55 |
160 |
||
|
hFE-2 |
DC Current Gain |
IC= -7A ; VCE= -5V |
35 |
|||
|
COB |
Output Capacitance |
IE=0 ; VCB= -10V;f= 1.0MHz |
360 |
pF |
||
|
fT |
Current-Gain—Bandwidth Product |
IC=-1A ; VCE= -5V |
30 |
MHz |
u hFE-1 Classifications
|
R |
O |
|
55-110 |
80-160 |
Отправить запрос, связаться с поставщиком
Другие товары поставщика
|
|
2SA1943 | isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1943 DESCRIPTION High Current Capability High Power Dissipation High Collector-Emitter Breakdown Voltage- ... |
 |
ПГК sillion мощность transsitor NPN транзисторы 2SD1047 | Описание ПК: 100 Вт ИЦ: 12 В Кол: 160 В Vceo: 140 В РТП: 60-200 (1 а / 5 в) Пакет: к-3PN Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в... |
 |
ПГК sillion мощность transsitor NPN транзисторы 2SC4242 | Описание ПК: 40 Вт СК: 7 А Кол: 450 В Vceo: 400 В РТП: 10- (4 в / 5 в) Упаковки: к-220 Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в п... |
 |
Sillion transsitor мощность BU508A ПГК НПН | Описание ПК: 125 Вт ИЦ: 8 А Кол: 1500 В Vceo: 700 В РТП: 6-30 (1 а / 5 в) Пакет: к-3PN Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в у... |
 |
ПГК sillion мощность transsitor типа NPN 2SC3320 | Описание Компьютер: 80 Вт СК: 15 А Кол: 500 В Vceo: 400 В РТП: 10- (6 а / 5 в) Пакет: к-3PN Замечание: НПН Приложения Предназначен для использовани... |
Похожие товары
 |
VB MOSFET FDD5614P package TO-252 instead FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TRANSISTOR MOSFET P-CH 60V 15A DPAK | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number: FDD5614P Description: VB MOSFET FDD5614P package TO-252 instead FAIRCHILD SEMICON... |
 |
TRANSISTOR CJ BC817 260-600 PKG SOT-23 diode | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Product Details Category: Diode PN: BC817 Brand: / Description: TRANSISTOR CJ BC817 260-600 ... |
 |
TRANSISTOR BCP69T1G ON PKG SOT-223 TRANS BIP PNP 20V 1A | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number: BCP69T1G Description: TRANSISTOR BCP69T1G ON PKG SOT-223 TRANS BIP PNP 20V 1A Vo... |
 |
SM6T39A IC TRANSIL 600W 39V UNIDIR SM LF ST MICROELECTRONICS | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:SM6T39A Description: SM6T39A IC TRANSIL 600W 39V UNIDIR SM LF ST MICROELECTRONICS V... |
 |
Moset DMG2305UX TECH PUBLIC package SOT-23 | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:DMG2305UX Description: Moset DMG2305UX TECH PUBLIC package SOT-23 Size: / Voltage:... |
