2N3055
isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055
DESCRIPTION
- Excellent Safe Operating Area
- DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A
- Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A
- Complement to Type MJ2955
APPLICATIONS
- Designed for general-purpose switching and amplifier
applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
VCBO |
Collector-Base Voltage |
100 |
V |
VCER |
Collector-Emitter Voltage |
70 |
V |
VCEO |
Collector-Emitter Voltage |
60 |
V |
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
7 |
V |
IC |
Collector Current-Continuous |
15 |
A |
IB |
Base Current |
7 |
A |
PC |
Collector Power Dissipation@TC=25℃ |
115 |
W |
TJ, Tstg |
Operating and Storage Junction Temperature Range |
-65~+150 |
℃ |
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL |
PARAMETER |
MAX |
UNIT |
Rth j-c |
Thermal Resistance,Junction to Case |
℃/W |
iscSilicon NPN Power Transistors 2N3055
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN |
MAX |
UNIT |
VCEO(SUS) |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
IC=30mA ; IB=0 |
60 |
V |
|
VCER(SUS) |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
IC=1mA ; RBE=100Ω |
70 |
V |
|
VCE(sat)-1 |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= 4A; IB= 0.4A |
V |
||
VCE(sat)-2 |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= 10A; IB= 3.3A |
V |
||
VBE(on) |
Base-Emitter On Voltage |
IC= 4A ; VCE= 4V |
V |
||
ICEO |
Collector Cutoff Current |
VCE= 30V; IB=0 |
mA |
||
ICEX |
Collector Cutoff Current |
VCE= 100V; VBE(off)= 1.5V VCE= 100V; VBE(off)= 1.5V,TC=150℃ |
mA |
||
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= 7.0V; IC=0 |
mA |
||
hFE-1 |
DC Current Gain |
IC= 4A ; VCE= 4V |
20 |
70 |
|
hFE-2 |
DC Current Gain |
IC= 10A ; VCE= 4V |
|||
Is/b |
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased |
VCE= 40V,t= 1.0s,Nonrepetitive |
A |
||
fT |
Current Gain-Bandwidth Product |
IC= 0.5A ; VCE= 10V;f=1.0MHz |
MHz |
Отправить запрос, связаться с поставщиком
Другие товары поставщика
Sillion transsitor ISC мощностью транзистор 2SC3866 | Описание ПК: 40 Вт СК: 3 А Кол: 900 В Vceo: 800 В РТП: 10- (1 а / 5 в) Пакет: к-220Fa Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в ул... | |
ПГК sillion мощность transsitor NPN транзисторы 2SC4242 | Описание ПК: 40 Вт СК: 7 А Кол: 450 В Vceo: 400 В РТП: 10- (4 в / 5 в) Упаковки: к-220 Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в п... | |
Sillion transsitor ПГК силы NPN BU406 | Описание ПК: 60 Вт СК: 7 А Кол: 400 В Vceo: 200 В РТП: 40-120 (1 а / 5 в) Упаковки: к-220 Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования ... | |
ПГК sillion мощность transsitor НПН 2SC3835 | Описание ПК: 70 Вт СК: 7 А Кол: 200 В Vceo: 120 В РТП: 70-220 (3 в / 4 в) Пакет: к-3PN Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в н... | |
Sillion ПГК мощность transsitor ПНП 2SA1744 | Описание ПК: 30 Вт СК: -15 В Кол: 100В Vceo: -60 В РТП: 100-400 (3а / -2 в) Пакет: к-220F Примечание: ПНП Приложения Предназначен для использования... |
Похожие товары
VB MOSFET FDD5614P package TO-252 instead FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TRANSISTOR MOSFET P-CH 60V 15A DPAK | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:FDD5614P Description:VB MOSFET FDD5614P package TO-252 instead FAIRCHILD SEMICONDUCT... | |
TRANSISTOR CJ BC817 260-600 PKG SOT-23 diode | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Product Details Category: Diode PN: BC817 Brand: / Description:TRANSISTOR CJ BC817 260-600 PK... | |
TRANSISTOR BCP69T1G ON PKG SOT-223 TRANS BIP PNP 20V 1A | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:BCP69T1G Description:TRANSISTOR BCP69T1G ON PKG SOT-223 TRANS BIP PNP 20V 1A Voltag... | |
SM6T39A IC TRANSIL 600W 39V UNIDIR SM LF ST MICROELECTRONICS | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:SM6T39A Description:SM6T39A IC TRANSIL 600W 39V UNIDIR SM LF ST MICROELECTRONICS Vo... | |
Moset DMG2305UX TECH PUBLIC package SOT-23 | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:DMG2305UX Description:Moset DMG2305UX TECH PUBLIC package SOT-23 Size: / Voltage: ... |