.

2N3055

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055

DESCRIPTION
  • Excellent Safe Operating Area
  • DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A
  • Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A

  • Complement to Type MJ2955

APPLICATIONS

  • Designed for general-purpose switching and amplifier

applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

100

V

VCER

Collector-Emitter Voltage

70

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

60

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

7

V

IC

Collector Current-Continuous

15

A

IB

Base Current

7

A

PC

Collector Power Dissipation@TC=25℃

115

W

TJ, Tstg

Operating and Storage Junction

Temperature Range

-65~+150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to Case

℃/W

iscSilicon NPN Power Transistors 2N3055

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC=30mA ; IB=0

60

V

VCER(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC=1mA ; RBE=100Ω

70

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 4A; IB= 0.4A

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 10A; IB= 3.3A

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= 4A ; VCE= 4V

V

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE= 30V; IB=0

mA

ICEX

Collector Cutoff Current

VCE= 100V; VBE(off)= 1.5V

VCE= 100V; VBE(off)= 1.5V,TC=150℃

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 7.0V; IC=0

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 4A ; VCE= 4V

20

70

hFE-2

DC Current Gain

IC= 10A ; VCE= 4V

Is/b

Second Breakdown Collector

Current with Base Forward Biased

VCE= 40V,t= 1.0s,Nonrepetitive

A

fT

Current Gain-Bandwidth Product

IC= 0.5A ; VCE= 10V;f=1.0MHz

MHz



Отправить запрос, связаться с поставщиком

Кому: Inchange Semiconductor Company
Ваш E-mail:
Текст письма:


Send to other suppliers

Другие товары поставщика

Sillion transsitor ISC мощностью транзистор 2SC3866
Sillion transsitor ISC мощностью транзистор 2SC3866 Описание ПК: 40 Вт СК: 3 А Кол: 900 В Vceo: 800 В РТП: 10- (1 а / 5 в) Пакет: к-220Fa Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в ул...
ПГК sillion мощность transsitor NPN транзисторы 2SC4242
ПГК sillion мощность transsitor NPN транзисторы 2SC4242 Описание ПК: 40 Вт СК: 7 А Кол: 450 В Vceo: 400 В РТП: 10- (4 в / 5 в) Упаковки: к-220 Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в п...
Sillion transsitor ПГК силы NPN BU406
Sillion transsitor ПГК силы NPN BU406 Описание ПК: 60 Вт СК: 7 А Кол: 400 В Vceo: 200 В РТП: 40-120 (1 а / 5 в) Упаковки: к-220 Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования ...
ПГК sillion мощность transsitor НПН 2SC3835
ПГК sillion мощность transsitor НПН 2SC3835 Описание ПК: 70 Вт СК: 7 А Кол: 200 В Vceo: 120 В РТП: 70-220 (3 в / 4 в) Пакет: к-3PN Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в н...
Sillion ПГК мощность transsitor ПНП 2SA1744
Sillion ПГК мощность transsitor ПНП 2SA1744 Описание ПК: 30 Вт СК: -15 В Кол: 100В Vceo: -60 В РТП: 100-400 (3а / -2 в) Пакет: к-220F Примечание: ПНП Приложения Предназначен для использования...
Все товары поставщика

Похожие товары

VB MOSFET FDD5614P package TO-252 instead FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TRANSISTOR MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
VB MOSFET FDD5614P package TO-252 instead FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TRANSISTOR MOSFET P-CH 60V 15A DPAK Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited Part Number:FDD5614P Description:VB MOSFET FDD5614P package TO-252 instead FAIRCHILD SEMICONDUCT...
TRANSISTOR CJ BC817 260-600 PKG SOT-23 diode
TRANSISTOR CJ BC817 260-600 PKG SOT-23 diode Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited Product Details Category: Diode PN: BC817 Brand: / Description:TRANSISTOR CJ BC817 260-600 PK...
TRANSISTOR BCP69T1G ON PKG SOT-223 TRANS BIP PNP 20V 1A
TRANSISTOR BCP69T1G ON PKG SOT-223 TRANS BIP PNP 20V 1A Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited Part Number:BCP69T1G Description:TRANSISTOR BCP69T1G ON PKG SOT-223 TRANS BIP PNP 20V 1A Voltag...
SM6T39A IC TRANSIL 600W 39V UNIDIR SM LF ST MICROELECTRONICS
SM6T39A IC TRANSIL 600W 39V UNIDIR SM LF ST MICROELECTRONICS Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited Part Number:SM6T39A Description:SM6T39A IC TRANSIL 600W 39V UNIDIR SM LF ST MICROELECTRONICS Vo...
Moset DMG2305UX TECH PUBLIC package SOT-23
Moset DMG2305UX TECH PUBLIC package SOT-23 Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited Part Number:DMG2305UX Description:Moset DMG2305UX TECH PUBLIC package SOT-23 Size: / Voltage: ...