IGBT полупроводниковый модуль
Детали полупроводников ( ODM.com/product/IGBT-semiconductor-module-accessories-1/)
Модуль IGBT представляет собой модульный электронный компонент, который объединяет несколько IGBT-чипов, приводной системы, защитные схемы и другие основные функции. Модуль унаследовал высокую входную сопротивление MOSFET, сочетая в себе низкое вхождение напряжения BJT с минимальной насыщенностью тока, что обеспечивает превосходную производительность в системах силовой электроники.
Принцип работы
Модуль IGBT работает на основе процесса непроницаемости IGBT (NPT-IGBT). Когда пороговое напряжение полюса (VGE) превышает определенный уровень, в каналах устанавливается состояние электропроводности, позволяющее течь тока. Эта конструкция эффективно сочетает в себе высокую входную сопротивляемость MOSFET с низким вводным падением напряжения BJT для быстрого и эффективного переключения с низким уровнем потерь.
Приложения
Модули IGBT широко используются в различных приложениях, включая кондиционеры с переменной частотой, электромобили, системы электропитания (PU) и солнечную энергию. Они имеют решающее значение для повышения стабильности, надежности и эффективности системы.
Ключевые характеристики
Энергосберегающая способность
Легкость установки и обслуживания
Стабильное рассеивание тепла.
Отправить запрос, связаться с поставщиком
Другие товары поставщика
|
|
IGBT полупроводниковый модуль | Детали полупроводников ( ODM.com/product/IGBT-semiconductor-module-accessories-1/) Модуль IGBT представляет собой модульный электронный компонент,... |
