2SC5200
INCHANGE Semiconductor iscProduct Specification
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5200
DESCRIPTION
- High Current Capability
- High Power Dissipation
- High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 230V(Min)
- Complement to Type 2SA1943
APPLICATIONS
- Power amplifier applications
- Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
|
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
|
VCBO |
Collector-Base Voltage |
230 |
V |
|
VCEO |
Collector-Emitter Voltage |
230 |
V |
|
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
5 |
V |
|
IC |
Collector Current-Continuous |
15 |
A |
|
IB |
Base Current-Continuous |
A |
|
|
PC |
Collector Power Dissipation @ TC=25℃ |
150 |
W |
|
TJ |
Junction Temperature |
150 |
℃ |
|
Tstg |
Storage Temperature Range |
-55~150 |
℃ |
INCHANGE Semiconductor iscProduct Specification
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
|
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN |
MAX |
UNIT |
|
|
V(BR)CEO |
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
IC= 50mA ; IB= 0 |
230 |
V |
||
|
VCE(sat) |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= 8.0A; IB= 0.8A |
V |
|||
|
VBE(on) |
Base-Emitter On Voltage |
IC= 7A ; VCE= 5V |
V |
|||
|
ICBO |
Collector Cutoff Current |
VCB= 230V ; IE= 0 |
5 |
μA |
||
|
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= 5V; IC= 0 |
5 |
μA |
||
|
hFE-1 |
DC Current Gain |
IC= 1A ; VCE= 5V |
55 |
160 |
||
|
hFE-2 |
DC Current Gain |
IC= 7A ; VCE= 5V |
35 |
|||
|
COB |
Output Capacitance |
IE=0 ; VCB= 10V;f= 1.0MHz |
200 |
pF |
||
|
fT |
Current-Gain—Bandwidth Product |
IC=1A ; VCE= 5V |
30 |
MHz |
u hFE-1 Classifications
|
R |
O |
|
55-110 |
80-160 |
Отправить запрос, связаться с поставщиком
Другие товары поставщика
 |
Sillion transsitor ISC мощностью транзистор 2SC3866 | Описание ПК: 40 Вт СК: 3 А Кол: 900 В Vceo: 800 В РТП: 10- (1 а / 5 в) Пакет: к-220Fa Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в ул... |
 |
ПГК sillion мощность transsitor НПН 2SC4552 | Описание ПК: 30 Вт СК: 15 А Кол: 100 В Vceo: 60 В РТП: 100-400 (3 в / 2 в) Пакет: к-220F Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования в... |
 |
Sillion transsitor ПГК силы NPN BU406 | Описание ПК: 60 Вт СК: 7 А Кол: 400 В Vceo: 200 В РТП: 40-120 (1 а / 5 в) Упаковки: к-220 Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования ... |
 |
2N3773 | iscSilicon NPN Power Transistor 2N3773 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain-hFE=15(Min)@IC = 8A Low Saturation Voltage... |
 |
ПГК sillion мощность transsitor транзистор 2SC4793 | Описание ПК: 20 Вт СК: 1 В Кол: 230 В Vceo: 230 В РТП: 100-320 (0,1 а / 5 в) Пакет: к-220F Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования... |
Похожие товары
 |
VB MOSFET FDD5614P package TO-252 instead FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TRANSISTOR MOSFET P-CH 60V 15A DPAK | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:FDD5614P Description:VB MOSFET FDD5614P package TO-252 instead FAIRCHILD SEMICONDUCT... |
 |
TRANSISTOR CJ BC817 260-600 PKG SOT-23 diode | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Product Details Category: Diode PN: BC817 Brand: / Description:TRANSISTOR CJ BC817 260-600 PK... |
 |
TRANSISTOR BCP69T1G ON PKG SOT-223 TRANS BIP PNP 20V 1A | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:BCP69T1G Description:TRANSISTOR BCP69T1G ON PKG SOT-223 TRANS BIP PNP 20V 1A Voltag... |
 |
SM6T39A IC TRANSIL 600W 39V UNIDIR SM LF ST MICROELECTRONICS | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:SM6T39A Description:SM6T39A IC TRANSIL 600W 39V UNIDIR SM LF ST MICROELECTRONICS Vo... |
 |
Moset DMG2305UX TECH PUBLIC package SOT-23 | Продавец: ZK Electronic Technology Co., Limited | Part Number:DMG2305UX Description:Moset DMG2305UX TECH PUBLIC package SOT-23 Size: / Voltage: ... |
