TIP41
isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C
DESCRIPTION
- DC Current Gain -hFE = 30(Min)@IC= -0.3A
- Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A
80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C
- Complement to Type TIP42/42A/42B/42C
APPLICATIONS
- Designed for use in general purpose amplifer and
switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
|
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
|
|
VCBO |
Collector-Base Voltage |
TIP41 |
40 |
V |
|
TIP41A |
60 |
|||
|
TIP41B |
80 |
|||
|
TIP41C |
100 |
|||
|
VCEO |
Collector-Emitter Voltage |
TIP41 |
40 |
V |
|
TIP41A |
60 |
|||
|
TIP41B |
80 |
|||
|
TIP41C |
100 |
|||
|
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
5 |
V |
|
|
IC |
Collector Current-Continuous |
6 |
A |
|
|
ICM |
Collector Current-Peak |
10 |
A |
|
|
IB |
Base Current |
2 |
A |
|
|
PC |
Collector Power Dissipation TC=25℃ |
65 |
W |
|
|
Collector Power Dissipation Ta=25℃ |
2 |
|||
|
Tj |
Junction Temperature |
150 |
℃ |
|
|
Tstg |
Storage Temperature Range |
-65~150 |
℃ |
|
isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
|
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN |
MAX |
UNIT |
|
|
VCEO(SUS) * |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
TIP41 |
IC= 30mA; IB= 0 |
40 |
V |
|
|
TIP41A |
60 |
|||||
|
TIP41B |
80 |
|||||
|
TIP41C |
100 |
|||||
|
VCE(sat) * |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= 6A ;IB= 0.6A |
V |
|||
|
VBE(on)* |
Base-Emitter On Voltage |
IC= 6A ; VCE= 4V |
V |
|||
|
ICES |
Collector Cutoff Current |
TIP41 |
VCE= 40V; VEB= 0 |
mA |
||
|
TIP41A |
VCE= 60V; VEB= 0 |
|||||
|
TIP41B |
VCE= 80V; VEB= 0 |
|||||
|
TIP41C |
VCE=100V; VEB= 0 |
|||||
|
ICEO |
Collector Cutoff Current |
TIP41/41A |
VCE=30V; IB= 0 |
mA |
||
|
TIP41B/41C |
VCE= 60V; IB= 0 |
|||||
|
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= 5V; IC= 0 |
mA |
|||
|
hFE-1* |
DC Current Gain |
IC=0.3A ; VCE=4V |
30 |
|||
|
hFE-2* |
DC Current Gain |
IC= 3A ; VCE= 4V |
15 |
75 |
||
|
fT |
Current-Gain—Bandwidth Product |
IC= 0.5A ;VCE= 10V |
3 |
MHz |
||
* Pulse Test: PW≤300μs, Duty Cycle≤2%
Отправить запрос, связаться с поставщиком
Другие товары поставщика
 |
ПГК sillion мощность transsitor НПН 2SC3834 | Описание ПК: 50 Вт СК: 7 А Кол: 200 В Vceo: 120 В РТП: 70-220 (3 в / 4 в) Упаковки: к-220 Замечание: НПН Приложения Предназначен для использования ... |
|
|
TIP41 | isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C DESCRIPTION DC Current Gain -hFE = 30(Min)@IC= -0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- ... |
 |
2N3773 | iscSilicon NPN Power Transistor 2N3773 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain-hFE=15(Min)@IC = 8A Low Saturation Voltage... |
 |
power transistors | Силовые транзисторы ISC, используются в аудио усилителей, увлажнитель, Поставщик силы, Автомобильные электронные, Переключение, телевизор, генерато... |
 |
power transistors | СиловыетранзисторыISC，используютсяваудиоусилителей，увлажнитель，Поставщиксилы，Автомобильныеэлектронные，Переключение，телевизор，генератор，освещение，по... |
Похожие товары
 |
Transistores SMD | Продавец: PAGOODA TECHNOLOGY CO | Transistores SMDIntroducción del transistor SMD de la tecnología Pingshang:Tipo: NP... |
 |
triodo SMD | Продавец: 780520 | Las especificaciones convencionales del triodo SMD incluyen:Paquete: SOT-23modelo:S9012, S9013, S... |
 |
Transistores SMD | Продавец: PAGOODA TECHNOLOGY CO | Las especificaciones convencionales del triodo SMD incluyen:Paquete: SOT-23modelo:S9012, S9013, S... |
 |
Transistores SMD | Продавец: PAGOODA TECHNOLOGY CO | Las especificaciones convencionales del triodo SMD incluyen:Paquete: SOT-23modelo:S9012, S9013, S... |
 |
triodo SMD | Продавец: 780520 | Las especificaciones convencionales del triodo SMD incluyen:Paquete: SOT-23modelo:S9012, S9013, S... |
