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单晶石英晶片/环

压电石英晶片由单晶石英晶体加工而成,具有良好的正/逆压电效应,广泛应用于定时频率控制、频率选择及QMEMS等方向。尖端应用包括:压控晶振(VCXO)、温补晶振(TCXO)、恒温晶振(OCXO)等。

材料特性

材料

压电级和光学级单晶石英

Q活力值

最小 1.8x10^6, 2.4x10^6 to 3.0x10^6 IEC standards

腐蚀隧道密度

最大 2 /c㎡, 10/c㎡, Max 30/c㎡, Max 100/c㎡, Max 300/c㎡; Swept Quartz

包裹体级别

Ia, Ib, I, II, III 级

电清洗

Z向或Y向石英棒,电清洗材料或非电清洗材料

加工能力

直径

3”(76.2mm)

4”(100mm)

6”(150mm)

8”(200mm)

厚度

主平台

22mm

32mm

表面处理

LTV (5mmx5mm)

<1.5µm

TTV

<1.5~3 µm

Bow

-30<bow<30

Warp

<40µm

Surface Type

SSP / DSP

Edge Criteria

R=0.2mm or Bullnose

Polished side Ra

<0.5nm or per requested

Back Side Criteria

General is 0.2-0.5µm or as customized



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