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铌酸锂晶片

铌酸锂具有良好的非线性光学性质,可用作光波导材料,或用于制作中低频声表滤波器、大功率耐高温超声换能器等。铌酸锂掺杂技术如今被广泛应用。Mg:LN提高抗激光损伤阈值,优化在非线性光学领域的应用;Nd:Mg:LN晶体可实现自倍频效应;Fe:LN晶体可用于光学体全息存储。

材料特性

材料

3" 4" 6" 8"铌酸锂晶片(声表级/光学级)

切型

X/Z/Y41°/Y64°/Y128°/YZ/YX 切型可定制

居里温度

1142°C±3°C

掺杂

Zn, MgO 单掺或双掺

加工能力

表面处理

单面抛光/双面抛光/单面研磨/双面研磨

厚度

TTV

< 1~5µm

BOW

± (25µm ~40um )

Warp

<= 35µm

LTV (5mmx5mm)

<1.5 um

PLTV(<0.5um)

≥98% (5mm*5mm) 边缘2mm除外

边缘

Compl't with SEMI M1.2@with GC800# .regular at C typed

定向平台

根据要求定制

抛光面

Roughness Ra<=5A

反面

Roughness Ra:0.5-1.0µm GC#1000

倒角

符合 SEMI M1.2 Standard/refer to IEC62276

裂缝、锯痕、污渍



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至: SHANGHAI BONTEK OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO.,LTD
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