铌酸锂晶片
铌酸锂具有良好的非线性光学性质，可用作光波导材料，或用于制作中低频声表滤波器、大功率耐高温超声换能器等。铌酸锂掺杂技术如今被广泛应用。Mg:LN提高抗激光损伤阈值，优化在非线性光学领域的应用；Nd:Mg:LN晶体可实现自倍频效应；Fe:LN晶体可用于光学体全息存储。
材料特性
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材料 |
3" 4" 6" 8"铌酸锂晶片（声表级/光学级） |
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切型 |
X/Z/Y41°/Y64°/Y128°/YZ/YX 切型可定制 |
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居里温度 |
1142°C±3°C |
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掺杂 |
Zn, MgO 单掺或双掺 |
加工能力
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表面处理 |
单面抛光/双面抛光/单面研磨/双面研磨 |
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厚度 |
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TTV |
< 1~5µm |
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BOW |
± (25µm ~40um ) |
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Warp |
<= 35µm |
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LTV (5mmx5mm) |
<1.5 um |
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PLTV(<0.5um) |
≥98% (5mm*5mm) 边缘2mm除外 |
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边缘 |
Compl't with SEMI M1.2@with GC800# .regular at C typed |
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定向平台 |
根据要求定制 |
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抛光面 |
Roughness Ra<=5A |
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反面 |
Roughness Ra:0.5-1.0µm GC#1000 |
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倒角 |
符合 SEMI M1.2 Standard/refer to IEC62276 |
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裂缝、锯痕、污渍 |
无 |
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